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编辑推荐：本文提出了一种新型倒置器件结构，以提高InP基量子点的效率。通过引入一层薄的电子传输材料，大大减少了空穴在空穴传输层和量子点界面的累积，从而抑制了空穴对量子点发射的猝灭效应。与传统的器件结构相比，峰值电流效率从3.83（5.17cd/A）提高到6.32%（8.54cd/A）。分析表明，InP量子点器件的内部量子效率接近%（光致发光量子产率为32%）。从原理上讲，电致发光器件需要平衡的电荷注入才能获得高效率。然而，电子输运和空穴输运性质的差异限制了实际器件中的平衡载流子注入。为了解决累积空穴载流子诱导的猝灭效应，了解载流子分布对InP基QLED器件的影响，吉林大学纪文宇教授团队进行了相关研究。相关论文以题目为“EfficientStructureforInP/ZnS-BasedElectroluminescenceDevicebyEmbeddingtheEmittersintheElectron-DominatingInterface”发表在TheJournalofPhysicalChemistryLetters期刊上。论文链接：

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